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要旨
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DRAMの低電力化は、さまざまな製品の付加価値を向上させ、多様な用途に利用するために不可欠である。日本電気（NEC）は、DRAMに使用されるキャパシタの容量増加を低コストで実用化するためにHSG-Si（Hemi-Spherical Grained Poly-Si）技術を開発した。この技術によって、キャパシタのサイズを大きくさせずに容量増加を実現させ、低電力化を図ることが可能となった。その後、HSG-Si技術はDRAMにおけるデファクト技術となり、2001年までには世界のDRAM製品の約7割がHSG-Siキャパシタを使用するまでになった。HSG-Siキャパシタの実用化に至るプロセスをたどり、その成果の背後にある要因を探る。
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