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戦後日本鉄鋼業試論:その連続性と非連続性

米倉誠一郎
『ビジネス レビュー』 31巻 2号 67-87頁 (1983)

  • 技術史
  • 論文

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    Infrared rapid thermal annealing of Si -implanted GaAs

    Kohzu, Hideaki
    『Applied Physics Letters』 Vol. 41 Issue 8 pp. 755-758 (with coauthors) (1982/10/15)

    • 技術経営
    • 論文

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      政府士族授産政策と小野田セメント

      米倉誠一郎
      『一橋論叢』 87巻 3号 377-394頁 (1982/03)

      • 技術史
      • 論文

        関連URL:

        企業活動の史的展開(4):小野田セメントにおける士族授産企業脱皮過程

        米倉誠一郎, 米川伸一:平田光弘(編)『企業活動の理論と歴史』 第9章,237-263頁
        千倉書房(1982)

        • 技術史
        • 本の一章執筆

          関連URL:

          Selenium Implantation in Epitaxial Gallium Arsenide Layers

          Kohzu, Hideaki
          『Nuclear Instruments and Methods』 Vols. 182-183 Part 2 pp. 709-717 (with coauthors) (1981/04/15)

          • 技術経営
          • 論文

            関連URL:

            Screenig and Testing Techniques for GaAs Power MESFETs

            Kohzu, Hideaki
            International Symposium for Testing & Failure Analysis (with coauthors) (1979)

            • 技術経営
            • ワーキングペーパー

              関連URL:

              GaAs FET とその応用

              神津英明
              『電子通信学会誌』 59巻 8号 pp. 857-865 (共著) (1976/08)

              • 技術経営
              • 論文

                関連URL:

                Reliability Study of GaAs MES FETs

                kohzu, Hideaki
                『IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques』 Vol. 24 Issue 6 pp. 321-328 (with coauthors) (1976/06)

                • 技術経営
                • 論文

                  関連URL:

                  Reliability Studies of one-micron Schottky Gate GaAs FET

                  Kohzu, Hideaki
                  『IEDM』 p. 247 (1975)

                  • 技術経営
                  • 論文

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