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Infrared rapid thermal annealing for GaAs device fabrication
Kohzu, Hideaki
『Journal of Applied Physics』 Vol. 54 Issue 9 pp. 4998-5003 (with coauthors) （1983/09）
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Electrical properties of S implants in GaAs activated by infrared rapid thermal annealing
Kohzu, Hideaki
『Journal of Applied Physics』 Vol. 54 Issue 6 pp. 3121-3124 (with coauthors) （1983/06）
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Infrared rapid thermal annealing of Si -implanted GaAs
Kohzu, Hideaki
『Applied Physics Letters』 Vol. 41 Issue 8 pp. 755-758 (with coauthors) （1982/10/15）
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Selenium Implantation in Epitaxial Gallium Arsenide Layers
Kohzu, Hideaki
『Nuclear Instruments and Methods』 Vols. 182-183 Part 2 pp. 709-717 (with coauthors) （1981/04/15）
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Screenig and Testing Techniques for GaAs Power MESFETs
Kohzu, Hideaki
International Symposium for Testing & Failure Analysis (with coauthors) （1979）
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Reliability Study of GaAs MES FETs
kohzu, Hideaki
『IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques』 Vol. 24 Issue 6 pp. 321-328 (with coauthors) （1976/06）
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