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検索結果： 2470件 113ページ目（2241〜2260）
論文
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Reorganizing for Multi-project Management: Toyota’s New Structure of Product Development Centers
Nobeoka, Kentaro
『Kobe Economic and Business Review』 (40th Annual Report, RIEB, Kobe University) pp. 89-128 （1996/03）
論文
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7. 赤外反射吸収分光法を用いたシリコン酸化初期過程および酸化薄膜構造の解析
藤村修三:石川健治, 『表面反応とプロセス制御に関する調査報告書II』 pp.54-66
社団法人日本電子工業振興協会（1996/03）
本の一章執筆
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Coevolutionary, Interorganizational Management
Nishiguchi, Toshihiro, Diamond Harvard Business（編）『The Strategic Outsourcing Enables to Supply Resources』 pp. 123-201
Diamondosha (in Japanese)（1996/01/01）
本の一章執筆
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The New Outsourcing: The World's Aircraft Industry Toward Symbiosis and Co-creation
Nishiguchi, Toshihiro:Sigrun Caspary（編）
Society of Japanese Aerospace Companies (SJAC) (in Japanese)（1996）
編著
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Coevolutionary, Interorganizational Management
Nishiguchi, Toshihiro, Diamond Harvard Business（編）『The Strategic Outsourcing Enables to Supply Resources』 pp. 123-201
Diamondosha (in Japanese)（1996）
本の一章執筆
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Strategy, Structure and Performance in Product Development: Observations from the Auto Industry
Cusumano, Michael:Kentaro Nobeoka, Toshihiro Nishiguchi（編）『Managing Product Development』 pp. 75-120
Oxford University Press（1996）
本の一章執筆
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Managing Product Development
Nishiguchi, Toshihiro（編）
Oxford University Press (Shingo Prize Excellence in Manufacturing Research 1997)（1996）
編著
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Managing Product Development
Nishiguchi, Toshihiro（編）
Oxford University Press （米国シンゴウ製造業研究優秀賞 1997; Winner of the Shingo Prize for Excellence in Manufacturing Research）（1996）
編著
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シリコンの科学
早見由香:藤村修三, 大見忠弘、新田雄久（編）『Surface Science Technology Series 3』 pp.349-357
UCS半導体基板技術研究会編 、リアライズ社（1996）
本の一章執筆
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Observation of Oxygen Exposed Hydrogen Terminated Silicon Surface
Ogawa, H.:K. Ishikawa:M. Aoki:S. Fujimura:N. Ueno:Y. Horiike:Y. Harada
『The Electrochemical Society』 p. 428 （1996）
論文
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論文
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Hydrogen molecules in crystalline silicon treated with atomic hydrogen
Murakami,K.:N. Fukata:S. Sasaki:K. Ishioka:M. Kitajima:S. Fujimura:J. Kikuchi:H. Haneda
『Physics reports : a review section of physics letters』 vol.77 3161 （1996）
論文
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Infrared spectroscopy study of chemical oxides formed by a sequence of RCA standard cleaning treatments
Inomata,C. R.:H. Ogawa:K. Ishikawa:S. Fujimura
『Journal of Electrochemical Society』 vol.143 2995 （1996）
論文
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Characterization of cleaning technology for silicon surfaces by hot water containing little dissolved oxygen
Hayami,Y.:M. T. Suzuki:Y. Okui:H. Ogawa:S. Fujimura
『Japan Journal of Applied Physics』 vol.35 4577 （1996）
論文
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Formation of hydrogen molecules in n-type silicon
Fukata,N.:S. Sasaki:K. Murakami:K. Ishioka:M. Kitajima:S. Fujimura:J. Kikuchi
『Japan Journal of Applied Physics』 vol.35 L1039 （1996）
論文
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Hydrogen passivation of donors and hydrogen states in heavily doped n-type silicon
Fukata,N.:S. Sasaki:S. Fujimura:H. Haneda:K. Murakami
『Japan Journal of Applied Physics』 vol.35 3937 （1996）
論文
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Cleaning of silicon surface by NF3-added hydrogen and water-vapor plasma downstream treatment
Kikuchi J.:M. Nagasaka:S. Fujimura:H. Yano:Y. Horiike
『Japan Journal of Applied Physics』 vol.35 1022 （1996）
論文
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Initial stage of native oxide growth on hydrogen terminated Si(111) surface
Ogawa H.:K. Ishikawa:C. Inomata:S. Fujimura
『Journal of Applied Physics』 vol.79 472 （1996）
論文
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